+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
продукти
У дома > продукти > 1550nm 200mW CW DFB влакнест лазерен модул

1550nm 200mW CW DFB влакнест лазерен модул Производители

Нашата фабрика предлага модули с фибровлакнести лазери, ултрабързи лазерни модули, високомощни диодни лазери. Нашата компания приема чуждестранна технологична технология, разполага с усъвършенствано производствено и тестово оборудване, в пакета за свързване на устройството, дизайнът на модула има водещо предимство в технологиите и контрола на разходите, както и перфектната система за осигуряване на качеството, може да гарантира, че ще осигури висока производителност за клиента , Надеждни качествени оптоелектронни продукти.

Свързани продукти

Горещи продукти

  • 1430nm DFB 14-PIN пеперуда лазерен диод

    1430nm DFB 14-PIN пеперуда лазерен диод

    1430nm DFB 14-PIN лазерен диод Butterfly. Високопроизводителен едночестотен лазер с тясна ширина на линията, способен за OEM приложения, подходящи за масово производство.
  • 1550nm 2mW 5mW коаксиален лазерен диод с тясна ширина на линията

    1550nm 2mW 5mW коаксиален лазерен диод с тясна ширина на линията

    1550nm 2mW 5mW коаксиален лазерен диод с тясна ширина на линията е коаксиален пакет с малък размер, евтин лазерен диод, ширина на линията по-малка от 500Khz, вграден TEC модул за контрол на температурата, ние предлагаме едномодови и опции за оптични влакна, поддържащи поляризация.
  • 1X2 1310/1550nm CWDM дължина на вълната WDM

    1X2 1310/1550nm CWDM дължина на вълната WDM

    1X2 1310/1550nm CWDM дължина на вълната WDM мултиплексор с разделяне на дължина на вълната е проектиран да комбинира светлина от два входа в едно влакно. Този WDM е проектиран за дължини на вълните 1310 nm и 1550 nm. Като всички устройства с кондензирани влакна, той е двупосочен: може да се използва за разделяне на две дължини на вълната от един вход на два изхода. ние също можем да предоставим други CWDM (1270nm до 1610nm) дължини на вълните WDM.
  • 808nm 10W CW диоден лазерен чист чип

    808nm 10W CW диоден лазерен чист чип

    808nm 10W CW диоден лазерен гол чип, изходна мощност 10W, дълъг живот, висока ефективност, широко използван в промишлени помпи, лазерно осветление, R&D и други области.
  • 50um InGaAs Avalanche фотодиоден чип

    50um InGaAs Avalanche фотодиоден чип

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip е фотодиод с вътрешно усилване, произведено чрез прилагане на обратно напрежение. Те имат по-високо съотношение сигнал/шум (SNR) от фотодиодите, както и бърза реакция във времето, нисък тъмен ток и висока чувствителност. Спектрален диапазон на реакция обикновено е в рамките на 900 - 1650 nm.
  • 850nm 5mW суперлуминесцентни диодни SLD, свързани с влакна

    850nm 5mW суперлуминесцентни диодни SLD, свързани с влакна

    850nm 5mW оптично свързан суперлуминесцентен диод SLD е източник на светлина за системи за предаване на влакна, оптични жироскопи, оптични сензори, оптична кохерентна томография, оптични измервания. Диодът е опакован в 14-пинов стандартен пеперуден пакет с мониторен фотодиод и термоелектрически охладител (TEC). Модулът е свързан с едномодово влакно, поддържащо поляризация, и свързан с FC/APC конектор.
  • Свързан блог
  • Отзиви

  • 1550nm тясна ширина на линията DFB Butterfly Laser Diode Помощ за кохерентни комуникации

    Box Optronics пусна 1550nm, 100mW, 100kHz DFB лазерен диод с тясна ширина на линията в 14-пинов пеперуден пакет с интегриран TEC температурен контрол и мониторинг PD.

  • Каква е ширината на лазерната линия?

    Ширина на лазерната линия, пълната ширина при половината максимум от спектъра на излъчване на източника на лазерна светлина, тоест половината височина на пика (понякога 1/e), което съответства на ширината между двете честоти.

  • Важни изследователски постижения са постигнати в областта на новите дълбоки ултравиолетови лазерни устройства

    Наскоро, с подкрепата на Националната природонаучна фондация на Китай, фундаментални изследвания на Шенжен и други проекти, асистент професор Джин Лимин, член на екипа по микро-нано оптоелектроника на Харбинския технологичен институт (Шенжен), си сътрудничи с професор Уанг Фенг и професор Джу Shide от City University of Hong Kong и публикува изследователска статия в международно известното списание Nature-Communications. Технологичният институт в Харбин (Шенжен) е звено за комуникация.

  • Как да тестваме пропускливостта и отразяването на оптичните компоненти?

    Когато падащият светлинен поток напусне осветената повърхност или падащата повърхност на средата към другата страна, съотношението на излъчваната енергия, проектирана и предадена през обекта, към общата излъчвана енергия, проектирана върху обекта, се нарича пропускливост на обекта . Процентът на лъчистата енергия, отразена от обект, към общата лъчиста енергия се нарича отражателна способност.

  • Пекин CIPE изложение BoxOptronics

    Добре дошли в нашия щанд Национален конгресен център в Пекин, щанд: C71-2

  • 1653nm лазерен диод за откриване на метан

    Точното откриване в реално време на газ метан става критично за наблюдение на течовете от тръбопроводи за природен газ, безопасността на домакинствата и мониторинга на безопасността на въгледобива.

Изпратете запитване

Авторско право @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китай Оптични модули, производители на оптични модули, свързани с влакна лазери, доставчици на лазерни компоненти Всички права запазени.