1030nm лазерен диод Производители

Нашата фабрика предлага модули с фибровлакнести лазери, ултрабързи лазерни модули, високомощни диодни лазери. Нашата компания приема чуждестранна технологична технология, разполага с усъвършенствано производствено и тестово оборудване, в пакета за свързване на устройството, дизайнът на модула има водещо предимство в технологиите и контрола на разходите, както и перфектната система за осигуряване на качеството, може да гарантира, че ще осигури висока производителност за клиента , Надеждни качествени оптоелектронни продукти.

Горещи продукти

  • 0,3 mm InGaAs фотодиоди с активна зона

    0,3 mm InGaAs фотодиоди с активна зона

    0,3 mm InGaAs фотодиоди с активна зона за откриване на близка инфрачервена светлина. Характеристиките включват висока скорост, висока чувствителност, нисък шум и спектрални реакции, вариращи от 1100nm до 1650nm. Подходящи за широк спектър от приложения, включително оптична комуникация, анализ и измерване.
  • PULSE SERIE SERIE DOUTLED YTTERBIUM легирани влакна

    PULSE SERIE SERIE DOUTLED YTTERBIUM легирани влакна

    Двойното облечено итербийско оптично влакно от серия Pulse е проектирано за източник на лазерно семената със средна и ниска мощност и предварително усилвател. Тази серия от оптични влакна има характеристиките на почти едномодово предаване, ниска загуба на огъване, ниско потъмняване на фотон и ефективност на високата наклона. Може да се използва в лазери на пулсови влакна от 10-500W и да се прилага при обработката на медицински и промишлени материали.
  • 1920~2020nm TDFA усилвател с влакна, легирани с тулий

    1920~2020nm TDFA усилвател с влакна, легирани с тулий

    1920~2020nm TDFA Оптичен усилвател с легиран тулий може да се използва за усилване на 2um лентови лазерни сигнали в диапазон на мощност от -10dBm~+10dBm. Наситената изходна мощност може да достигне до 40dBm. Често се използва за увеличаване на мощността на предаване на лазерни светлинни източници.
  • InGaAs плетени фотодиоди, свързани с многомодово влакно

    InGaAs плетени фотодиоди, свързани с многомодово влакно

    InGaAs Pigtailed фотодиоди, свързани с многомодово влакно, с диаметър на сърцевината от 50 µm или 62,5 µm по избор и диапазон на дължина на вълната на откриване от 900-1700 nm.
  • Високопроизводителен 1450nm DFB пеперуда лазерен диод

    Високопроизводителен 1450nm DFB пеперуда лазерен диод

    Високопроизводителният 1450nm DFB Butterfly Laser Diode, вграден във Вграден фотодиод за монитор, термоелектричен охладител TEC и термистор, еднорежим или поддържащ поляризацията влакна, дължина на вълната/температурен коефициент 0,01nm/℃.
  • 50um InGaAs Avalanche фотодиоден чип

    50um InGaAs Avalanche фотодиоден чип

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip е фотодиод с вътрешно усилване, произведено чрез прилагане на обратно напрежение. Те имат по-високо съотношение сигнал/шум (SNR) от фотодиодите, както и бърза реакция във времето, нисък тъмен ток и висока чувствителност. Спектрален диапазон на реакция обикновено е в рамките на 900 - 1650 nm.

Изпратете запитване