1550nm лазерен източник с една дължина на вълната Производители

Box Optronics е зрял доставчик на лазерен източник на DFB в Китай. Ръководен от нуждите на клиентите, той стартира многоканален DFB лазерен източник, който интегрира множество различни дължини на вълната. Множество дължини на вълната могат да бъдат активирани и използвани едновременно или само една дължина на вълната може да се работи отделно. Този лазерен източник може да се използва за WDM устройства, AWG устройства, PLC устройства, EDFA и други оптични измервания и приложения. Компактната структура на продукта е само за по -ефективни приложения за експериментални експериментални изследвания и разработки.

Лазер - устройство, способно да излъчва лазерна светлина. Първият микровълнов квантов усилвател е направен през 1954 г. и е получен силно кохерентен микровълнов лъч. През 1958 г. A.L. Xiaoluo и C.H. Таунс разшири принципа на микровълновия квантов усилвател до оптичния честотен диапазон. През 1960 г. T.H. Мейман и други направиха първия рубинен лазер. През 1961 г. A. Jia Wen и други правят хелий-неонов лазер. През 1962 г. R.N. Хол и други създават полупроводников лазер с галиев арсенид. В бъдеще ще има все повече и повече видове лазери. Според работната среда лазерите могат да бъдат разделени на четири категории: газови лазери, твърд лазери, полупроводникови лазери и лазери с багрила. Наскоро бяха разработени и лазери със свободни електрони. Лазерите с висока мощност обикновено имат импулсен изход.

След изобретяването на първия в света полупроводников лазер през 1962 г., полупроводниковият лазер претърпя огромни промени, насърчавайки значително развитието на други науки и технологии и се счита за едно от най-големите човешки изобретения през ХХ век. През последните десет години полупроводниковите лазери се развиха по-бързо и се превърнаха в най-бързо развиващата се лазерна технология в света. Обхватът на приложение на полупроводниковите лазери обхваща цялата област на оптоелектрониката и се превърна в основна технология на днешната наука за оптоелектрониката. Поради предимствата на малкия размер, проста структура, ниска входяща енергия, дълъг живот, лесна модулация и ниска цена, полупроводниковите лазери се използват широко в областта на оптоелектрониката и са високо оценени от страни по целия свят.

Светлинен източник със свръхизлъчване (известен също като източник на светлина ASE) е базиран на свръхизлъчване широколентов източник на светлина (източник на бяла светлина). (Често погрешно се нарича суперлуминесцентен светлинен източник, който се основава на различно явление, наречено суперфлуоресценция.) Като цяло, суперлуминесцентният светлинен източник съдържа среда за лазерно усилване, която се възбужда да излъчва светлина и след това се усилва, за да излъчва светлина.

Лазерите с тясна ширина на линията се използват широко като източници на светлина и приемници във фиброоптични комуникационни системи. По отношение на източниците на светлина, лазерите с тясна ширина на линията могат да осигурят висококачествени и много стабилни оптични сигнали, което може да намали изкривяването на сигнала и процентите на битови грешки. По отношение на приемниците, лазерите с тясна ширина на линията могат да осигурят висока чувствителност и високопрецизно откриване на светлина, което може да подобри възможностите за откриване на сигнал на приемника. Освен това лазерите с тясна ширина на линията могат да се използват за функции като оптично филтриране и честотно преобразуване.

Високомощните лазери, работещи при дължина на вълната 1 ¼m, включително фибро лазери, лазери с диодно изпомпване в твърдо състояние (DPSS) и лазери с директен диод, се внедряват все повече в силно автоматизирани производствени линии. Те позволяват широк спектър от приложения за обработка на материали като заваряване, рязане, спояване, облицовка, повърхностна обработка, нагряване на насипни материали, силно локализирано нагряване и производство на добавки. Оптимални лазерни проекти могат да бъдат постигнати с правилния подбор на полупроводникови лазери, специализирана оптика и решения за управление на топлината.