1550nm 500mW CW DFB лазерен модул с единична дължина на вълната Производители

Това е пакетиран чип с интегрални схеми, съставени от десетки или десетки милиарди транзистори вътре. Когато приближим под микроскоп, можем да видим, че интериорът е сложен като град. Интегралната схема е вид миниатюрно електронно устройство или компонент. Заедно с окабеляване и взаимно свързване, произведени върху малка или няколко малки полупроводникови пластини или диелектрични субстрати, за да образуват структурно тясно свързани и вътрешно свързани електронни схеми. Нека вземем най-основната верига на делителя на напрежението като пример, за да илюстрираме, че това е Как да реализираме и произвеждаме ефект вътре в чипа.

Фотодиодите често се използват като фотодетектори. Такива устройства съдържат p-n преход и обикновено имат вътрешен слой между n и p слоевете. Устройствата с присъщи слоеве се наричат ​​фотодиоди от тип PIN. Изчерпващият слой или присъщият слой абсорбира светлина и генерира двойки електрон-дупка, които допринасят за фототока. В широк диапазон на мощност фототокът е строго пропорционален на интензитета на абсорбираната светлина.

Лазерните сензори са сензори, които използват лазерна технология за измерване. Състои се от лазер, лазерен детектор и измервателна верига. Лазерният сензор е нов тип измервателен уред. Предимствата му са, че може да реализира безконтактно измерване на дълги разстояния, бърза скорост, висока прецизност, голям обхват, силна способност срещу светлина и електрически смущения и др.

Лазер - устройство, способно да излъчва лазерна светлина. Първият микровълнов квантов усилвател е направен през 1954 г. и е получен силно кохерентен микровълнов лъч. През 1958 г. A.L. Xiaoluo и C.H. Таунс разшири принципа на микровълновия квантов усилвател до оптичния честотен диапазон. През 1960 г. T.H. Мейман и други направиха първия рубинен лазер. През 1961 г. A. Jia Wen и други правят хелий-неонов лазер. През 1962 г. R.N. Хол и други създават полупроводников лазер с галиев арсенид. В бъдеще ще има все повече и повече видове лазери. Според работната среда лазерите могат да бъдат разделени на четири категории: газови лазери, твърд лазери, полупроводникови лазери и лазери с багрила. Наскоро бяха разработени и лазери със свободни електрони. Лазерите с висока мощност обикновено имат импулсен изход.

След изобретяването на първия в света полупроводников лазер през 1962 г., полупроводниковият лазер претърпя огромни промени, насърчавайки значително развитието на други науки и технологии и се счита за едно от най-големите човешки изобретения през ХХ век. През последните десет години полупроводниковите лазери се развиха по-бързо и се превърнаха в най-бързо развиващата се лазерна технология в света. Обхватът на приложение на полупроводниковите лазери обхваща цялата област на оптоелектрониката и се превърна в основна технология на днешната наука за оптоелектрониката. Поради предимствата на малкия размер, проста структура, ниска входяща енергия, дълъг живот, лесна модулация и ниска цена, полупроводниковите лазери се използват широко в областта на оптоелектрониката и са високо оценени от страни по целия свят.