1310nm/1550nm Мултиплексор с разделяне на дължината на вълната Производители

По-долу е за CWDM 10mW DFB лазерен диод Butterfly с TEC за телекомуникации, надявам се да ви помогна да разберете по-добре CWDM 10mW DFB лазерен диод Butterfly с TEC за телекомуникации. Добре дошли нови и стари клиенти да продължат да си сътрудничат с нас, за да създадем по-добро бъдеще заедно!

1310nm 10dBm SOA полупроводников оптичен усилвател SM Butterfly е проектиран чрез използване на висококачествен ъглов SOA чип и TEC, който може да осигури стабилен усилен изход за голям динамичен входен сигнал. Устройствата се предлагат в стандартна 14-пинова пеперуда опаковка при 1310nm и 1550nm ленти. SOA устройствата имат голямо оптично усилване, висока изходна мощност на насищане, ниска загуба, зависима от поляризацията, ниска шумова стойност и широк диапазон на дължина на вълната. Имаме опции за оптични изолатори за входна и/или изходна страна, както и изходни влакна от SM влакна, PM влакна и други специални влакна по спецификации на клиента. Продуктите са квалифицирани по Telcordia GR-468 и в съответствие с изискванията на RoHS.

1653.7nm 13mW DFB TO-CAN лазерен диод за CH4 Sensing осигурява надеждна, стабилна дължина на вълната и висока мощност, с колимираща леща. Този лазер с единичен надлъжен режим е проектиран специално за приложения за откриване на газ, насочени към метан (CH4). Изходът с тясна ширина на линията подобрява производителността на приложението в широк диапазон от работни условия.

Радиационното устойчиво на оптично влакно Erbium ytterbium има добра радиационна устойчивост и може ефективно да намали въздействието на високоенергийното йонно лъчение върху оптичното влакно, легирано с ербий. Оптичното влакно има добра консистенция и висока ефективност на преобразуване.

1060nm SLD широколентов източник на светлина използва суперлуминесцентен диод за извеждане на широколентов спектър и има висока изходна мощност, която е подходяща за приложения като оптично наблюдение. Той може да осигури комуникационен интерфейс и хост компютърен софтуер за улесняване на наблюдението на състоянието на източника на светлина.

300 um InGaAs фотодиоден чип предлага превъзходен отговор от 900 nm до 1700 nm, идеален за телекомуникации и близо IR детекция. Фотодиодът е идеален за приложения с висока честотна лента и активно подравняване.