Като професионален малък пакет 974nm 300mW DIL помпа лазер без TEC Cooler производство, можете да бъдете сигурни, че ще закупите малък пакет 974nm 300mW DIL помпа лазер без TEC Cooler от нашата фабрика и ние ще ви предложим най-доброто следпродажбено обслужване и навременна доставка.
Този 1550nm 2W единична дължина на вълната с висока мощност CW DFB влакнест лазерен модул приема DFB лазерен чип и модул за оптичен път с висока мощност, за да реализира изходната мощност с висока мощност на едномодовото влакно. Професионално проектираната верига за задвижване на лазера и контрол на температурата осигурява безопасна и стабилна работа на лазера.
Влакното с добавка на ербий с висока абсорбция може да намали дължината на използваното влакно, като по този начин намалява нелинейния ефект на влакното и се използва главно в усилватели с влакна 1,5¼m и влакнести лазери. Влакното се изпомпва при 980 nm или 1480 nm и има ниски загуби при снаждане и добра консистенция.
Този 1550nm 5mW TO-CAN DFB лазерен диод е продукт, работещ в широк температурен диапазон с нисък коефициент на дължина на вълната температура. Той е много подходящ за приложения като комуникационни изследвания, интерферометрия и оптична рефлектометрия за измерване на разстояние във влакна или свободно пространство. Всяко устройство преминава тестване и изгаряне. Този лазер се предлага опакован в 5,6 mm TO Can. Той съдържа интегрирана асферична фокусираща леща в капачката, позволяваща фокусното петно и цифровата апертура (NA) да бъдат съгласувани с SMF-28e+ влакно.
Високомощният C-обхват 1W 30dBm усилвател с влакна с добавка на ербий EYDFA (EYDFA-HP) се основава на технологията на усилвателя с влакна с добавка на ербий с двойна обвивка, като се използва уникален оптичен процес на опаковане, съчетан с надежден високомощен лазерен защитен дизайн, за постигане на мощен лазерен изход в диапазона на дължината на вълната 1540~1565nm. С висока мощност и нисък шум, той може да се използва в оптична комуникация, Lidar и др.
1mm InGaAs/InP PIN фотодиоден чип предлага превъзходна реакция от 900nm до 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN фотодиоден чип е идеален за приложения с висока честотна лента 1310nm и 1550nm. Серията устройства предлага висока чувствителност, нисък тъмен ток и висока честотна лента за дизайн на приемника с висока производителност и ниска чувствителност. Това устройство е идеално за производители на оптични приемници, транспондери, модули за оптично предаване и комбиниран PIN фотодиод – трансимпедансен усилвател.
Авторско право @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китай Оптични модули, производители на оптични модули, свързани с влакна лазери, доставчици на лазерни компоненти Всички права запазени.
