Синя светлинна полупроводникова лазерна структура и принцип на работа

В зависимост от материала на активния регион, ширината на пропастта на лентата на полупроводниковия материал на синята светлинен полупроводник лазер варира, така че полупроводниковият лазер може да излъчва светлина от различни цветове. Материалът на активния регион на полупроводниковия лазер на синята светлина е GAN или Ingan. The structure of a typical GaN-based laser is shown in Figure 1. From bottom to top in the z direction, it is the n-electrode, GaN substrate, n-type A1GaN lower confinement layer, n-type hGaN lower waveguide layer, multi-quantum well (MQW) active region, unintentionally doped hGaN upper waveguide layer, p-type electron blocking layer (EBL), P-тип A1gan горен затворен слой, P-тип GAN слой и P-електрод

Индексът на пречупване на материала на многонантичния добре активен регион (MQWS) е най-високият, а коефициентът на пречупване на материалите от двете страни на активния регион показва намаляваща тенденция. Чрез разпределението на коефициента на пречупване на материала в посока z с високо в средата и ниското над и отдолу, светлинното поле в Z посока може да бъде ограничено между горния и долния вълноводни слоеве. В посока Y част от P-тип слой от двете страни на лазера се отстранява чрез ецване и се отлага тънък слой от силициев диоксид (SiO2), в крайна сметка образувайки структура на билото. Индексът на пречупване на силициев диоксид и въздух е по-малък от този на P-тип слой, така че коефициентът на пречупване в посока Y е висок в средата и ниското от двете страни, а светлинното поле е ограничено до средата на билото. Поради ограничаващия ефект на указанията Y и Z върху светлинното поле, светлинното поле в равнината на YZ представя елиптично разпределение. В посоката на X предните и задните кухини повърхности могат да се образуват чрез механично разцепване или офорт, а отразяването на повърхностите на предната и задната кухина може да се регулира чрез изпаряване на диелектричния филм. Обикновено отразяването на повърхността на предната кухина е по -малка от тази на повърхността на задната кухина, за да се гарантира, че лазерът се излъчва от повърхността на предната кухина.